FinFET | 台灣上市公司資訊
FinFET(FinField-EffectTransistor;鰭式場效電晶體),中文名有時稱為鰭式場效應電晶體,是一種新的互補式金氧半導體電晶體,可以改善電路控制並減少漏電流 ...
注意:本條目主題可能尚無中文譯名,因而使用原文或其拉丁字母轉寫作為標題。如果您在可靠來源中找到本主題的中文名稱,請勇於將其移動至中文標題。(2019年1月)FinFET(Fin Field-Effect Transistor;鰭式場效電晶體),中文名有時稱為鰭式場效應電晶體,是一種新的互補式金氧半導體電晶體,可以改善電路控制並減少漏電流,縮短電晶體的閘長。[1]FinFET是一種立體的場效應管,屬於多閘極電晶體。FinFET是由加州大學伯克利分校胡正明教授發明的。
當電晶體的尺寸小於25奈米以下,傳統的平面場效應管的尺寸已經無法縮小。FinFET的主要思想是將場效應管立體化。
2011年,英特爾已經推出商業化的22奈米FinFET。[2]
在2018年2月開始,中國科學院微電子研究所就該技術涉及該所的部分專利對英特爾提出侵權訴訟,而英特爾多次反制,向中美兩國的智慧財產權管理部門申請專利無效審議或覆審,但均告失敗,2020年7月28日,國家知識產權局口頭受理了該次申請無效審議。[3]
參考資料[編輯]
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