全新光電科技股份有限公司- 財經百科 | 台灣上市公司資訊

全新(2455)成立於1996年11月26日，是以MOCVD技術生產砷化鎵(GaAs)磊晶供應商，為台灣第一家本土砷化鎵磊晶製造商，全球排名為前三大製造商之一。2.

(一)公司簡介

1.沿革與背景

全新(2455)成立於1996年11月26日，是以MOCVD技術生產砷化鎵(GaAs)磊晶供應商，為台灣第一家本土砷化鎵磊晶製造商，全球排名為前三大製造商之一。

2.營業項目與產品結構

GaAs(砷化鎵)為III-V族二元化合物，相較於矽，GaAs電子移動速度高，應用於高頻元件時，雜訊較低、元件Size較小，並且在輻射較強、高溫(200℃)的環境下，不容易造成信號錯誤，適合用於通訊、衛星等應用。

其產品項目為： A.異質接面雙載子電晶體(HBT)磊晶片。 B.假晶高電子遷移率電晶體(pHEMT)磊晶片。 C.磷化銦異質接面雙載子電晶體(InP HBT)磊晶片 D.垂直整合HBT、PHEMT (BiHEMT)磊晶片 E.高聚光型太陽能電池(HCPV)磊晶片

產品圖

圖片來源：公司網站

(二)產品與競爭條件

1.產品與技術簡介

a.HBT(異質接面雙載子電晶體)

HBT因物理特性具備高線性度、良好寬頻響應、高崩潰電壓、高增益、高效率、較低寄生效應、無需負偏壓設計、低相位雜訊等優點，使其功能具有功率放大倍率佳、待機耗電流較低、體積小等特色，成為手機及WLAN用PA(功率放大器)之主流技術，至2005年HBT在手機PA之滲透率已超過9成。隨著無線通訊技術由2G(GSM)到4G(LTE或WiMAX)演進，開放的頻段增多，手機內PA數量之需求也增多，傳統2G&EDGE手機僅使用1-2顆PA，3G手機中有4-6顆PA，4G手機中則用到7顆PA。

b.PHEMT(假晶高速電子移動電晶體)

PHEMT具有超高頻及低雜訊特性，適用於高功率基地台，低雜訊放大器（LNA）及RF Switch上，傳統上以MBE方式...